Galaxy S6 Edge quay trở lại còn “lợi hại” hơn xưa

  • 19/02/2015 23:14
  • 0 bình luận
  • Mạnh Cường
  • In bài

ANTĐ - Những thông tin về chi tiết cấu hình của chiếc smartphone Galaxy S6 Edge tiếp tục bị rò rỉ trên mạng internet, lần này dưới tên mã là SM-G925F và trên cơ sở dữ liệu của Geekbench 3.

Như chúng ta đã biết, Samsung mới đây đã gửi giấy mời tới truyền thông thế giới, mời tham gia sự kiện của hãng tại MWC 2015 diễn ra ở Barcelona, vào ngày 1-3 tới đây. Đó cũng là thời điểm mà hãng từng giới thiệu chiếc Galaxy S5 hồi năm ngoái.

Theo một thông tin rò rỉ gần đây, S6 Edge được trang bị bộ xử lý Exynos 7420 như Galaxy S6 và chạy Android 5.0.2, nó có thể ghi được tới 1.495 điểm trong bài kiểm tra lõi đơn và 5.375 điểm trong bài kiểm tra đa lõi. 

Chip Exynos 7

Chip Exynos 7

Điều này có nghĩa là vượt trội hơn cả chip Apple A8X của iPad Air 2 cũng như Snapdragon 810. Ngoài thông tin điểm số, Geekbench cũng báo cáo rằng Galaxy S6 sẽ có RAM 3 GB nhưng không tiết lộ thêm điều gì khác. 

Bảng kết quả đo cấu hình của Galaxy S6 Edge.

Bảng kết quả đo cấu hình của Galaxy S6 Edge.

Samsung cho biết rằng việc sử dụng quy trình 14 nm để sản xuất chip FinFET cho phép tạo ra thế hệ chip mới với tốc độ nhanh hơn 20% trong khi mức độ tiêu thụ điện năng lại giảm 35% so với chip sản xuất theo quy trình 20 nm. Hãng tuyên bố rằng thành công này là một lợi thế "đầy ý nghĩa" trong ngành công nghiệp sản xuất chip di động. Theo đó, việc kết hợp cấu trúc FinFET 3 chiều lên các bóng bán dẫn cho phép tạo nên những con chip với hiệu năng vượt trội và khắc phục được những hạn chế về kích thước của cấu trúc phẳng vốn đang tồn tại trên quy trình 20 nm hoặc cũ hơn. Trong khi đó, chip Snapdragon 810 của Qualcomm vẫn sản xuất theo quy trình 20 nm.

Tổng hợp

Tin cùng chuyên mục